​三星扩大DRAM产能，今年资本支出增8%

随着三星电子(Samsung Electronics)大举扩充DRAM产能，分析人士预估，今(2018)年厂商的资本支出有望成长8%，半导体设备族群前景畅旺。

barron`s.com 12日报导，Keybanc分析师Weston Twigg发表研究报告指出，今年芯片厂商对设备的资本支出，有望成长8%、高于先前他所预估的5%，需求更有机会增加10%以上，其中逻辑IC设备的需求相对稳定，晶圆代工厂虽然上半年有些疲软、但下半年应会改善。

Twigg说，三星似乎正在积极扩充DRAM产能，估计存储器的需求会比设备业者一季前预估的还要强劲，DRAM扩产、3D NAND产能持续上升，有望让芯片厂商的资本支出一路增加至今年底。虽然三星基本上已经停止扩产OLED、并大幅降低现有OLED产能的利用率，但应用材料 ( Applied Materials )对此因素的曝险度相对低，其OLED相关营收仅占整体的7%。

应用材料12日应声上涨2.69%、收56.43美元，重返60日移动平均线，并创3月26日收盘高。半导体蚀刻机台制造商科林研发公司( Lam Research Corp. )同步上涨2.57%、收206.02美元，创3月26日以来收盘高。晶圆检测设备制造商科磊 ( KLA-Tencor Corporation )也上涨2.33%、收109.12美元。

台积电 (2330)、三星对先进制程竞赛白热化，对半导体设备厂商而言，也会相当有利。

欧系外资4月9日甫发表研究报告指出，最近有谣言暗示，台积电可能推延了极紫外光(EUV)微影设备订单的交期，但根据实地调查，EUV的需求展望非但并未减弱、反之还有增温迹象，估计欧洲半导体设备业龙头艾司摩尔(ASML Holding NV)明(2019)年的EUV产能，应能如期被抢订一空。

报告直指，台积电已在4月2日向ASML和日本半导体设备厂Lasertec下达了近10亿美元的订单，显示第一季订购的设备数量应有6-8台。三星则是对EUV态度最积极的厂商，据调查，三星或许会将至少一部份的1y nm DRAM (~1 layer)产能导入EUV，量产DRAM的时间点，甚至会比7 奈米晶圆代工/逻辑芯片还要早，因为三星打算先用风险较低的DRAM试产，以便在未来大量替7奈米制程导入EUV。